1．產(chǎn)品介紹
SRAM器件輻射效應(yīng)測(cè)試套件包含可定制的夾具板、驅(qū)動(dòng)與測(cè)試向量、可配置的軟件插件，基于QDRP平臺(tái)實(shí)現(xiàn)對(duì)通用異步SRAM器件的功能驗(yàn)證、性能測(cè)試、單粒子翻轉(zhuǎn)測(cè)試、單粒子閂鎖測(cè)試等，支持自動(dòng)重寫和自定義忽略地址功能，能夠快速定制各種封裝的夾具板以滿足輻射效應(yīng)測(cè)試的要求。
2．主要功能
★ 手動(dòng)數(shù)據(jù)寫
★ 手動(dòng)數(shù)據(jù)讀
★ 手動(dòng)數(shù)據(jù)對(duì)比
★ 自動(dòng)測(cè)試，支持多片輪詢
★ 自動(dòng)重寫
★ 忽略地址列表
★ 單粒子閂鎖檢測(cè)
★ 單粒子翻轉(zhuǎn)檢測(cè)
★ 獨(dú)立電源控制
★ 獨(dú)立電平/脈沖輸出功能
型號(hào) | QKSRAM01 | QKSRAM06 |
供電電源 | 4路0.9V～5.5V/4A、2路1V～12V/2A | |
接口電平 | 1.2V～3.4V | |
數(shù)據(jù)接口類型 | LVCMOS | |
數(shù)據(jù)位寬 | 8/16/32 | |
地址接口類型 | LVCMOS | |
地址位寬 | 1～32 | |
數(shù)據(jù)方向切換 | 支持 | |
片選數(shù)量 | 1 | 6 |
通用IO | 8 | |
脈沖寬度 | 200ns～100ms | |
訪問(wèn)時(shí)間 | 20ns～100ms | |
寫周期 | 20ns～100ms | |
忽略地址列表 | 8組×8 | |
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第一時(shí)間了解我們的新產(chǎn)品發(fā)布和最新的資訊文章。 陜西夸克自控科技有限公司成立于2007年7月，是一家半導(dǎo)體可靠性測(cè)試解決方案提供商，公司依靠豐富的測(cè)試系統(tǒng)工程經(jīng)驗(yàn)、半導(dǎo)體測(cè)試技術(shù)、高壓及微弱信號(hào)檢測(cè)技術(shù)、真空及輻射效應(yīng)測(cè)試技術(shù)、高... 您有什么問(wèn)題或要求嗎？
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